MMF-12D24DS-RM1變頻器風(fēng)扇

一般人都認(rèn)為，高樓比較容易成為雷擊目標(biāo)，樓層低的房子肯定比高樓安全。其實(shí)不然，防雷專家說(shuō)，如果樓層低的房子處于高樓邊上，遭雷擊的可能性非但不會(huì)減少，反而會(huì)大大增加。

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專家解釋說(shuō)，這就好比打雷時(shí)站在大樹(shù)底下。高樓容易招雷，高樓周邊的建筑物也相對(duì)比較容易遭雷擊。高樓本身一般都已采取較為完善的防雷設(shè)施，遭受雷擊時(shí)電流通過(guò)避雷裝置導(dǎo)入地下，這時(shí)如果周邊樓層低的房子如果防雷設(shè)施不完善，MMF-12D24DS-RM1就很可能遭受雷擊損失。

防雷監(jiān)測(cè)部門的有關(guān)專家告訴記者，現(xiàn)在高樓在申報(bào)審批時(shí)，有關(guān)部門會(huì)對(duì)其作風(fēng)險(xiǎn)評(píng)估，要求其在安裝避雷裝置時(shí)考慮對(duì)鄰近建筑物的保護(hù)。

晶閘管在電機(jī)軟啟動(dòng)領(lǐng)域中的選擇與應(yīng)用 
一  晶閘管產(chǎn)品特點(diǎn)簡(jiǎn)介  
         從本世紀(jì) 50 年代我國(guó)生產(chǎn)晶閘管器件問(wèn)世以來(lái) 經(jīng)歷了 50 多年的歷史 剛開(kāi)始時(shí) 由于制
造工藝水平不成熟 性能很不穩(wěn)定 那時(shí)有人稱之為 可怕硅 現(xiàn)在隨著制造水平的提高 各種性
能相當(dāng)穩(wěn)定 已朝著大電流 3000A 以上 高電壓 6000V 以上 方向發(fā)展  
        英文為 Thyristor,也稱為可控硅 Silicon Controlled Rectifier 它是一種具有 P-N-P-N
四層三個(gè) PN 結(jié)的功率半導(dǎo)體器件 它有三個(gè)電極 陽(yáng)極 A 陰極 K 控制門極 G 是一種電
流控制型器件 要使其導(dǎo)通必須具備兩個(gè)條件 一是陽(yáng)極電位高于陰極電位 即正偏置 二是控制
門極施加足夠功率和寬度的觸發(fā)脈沖信號(hào) 晶閘管具有如下特點(diǎn) 導(dǎo)通后即使控制門極觸發(fā)信號(hào)撤
去 只要流過(guò)器件的正向電流大于維持電流 一般幾十個(gè)毫安 它還能導(dǎo)通  也就是說(shuō)通過(guò)關(guān)斷觸
發(fā)信號(hào)來(lái)關(guān)斷晶閘管是不行的 這點(diǎn)與 IGBT GTR MOSFET 不同 要想關(guān)斷它 必須將維持導(dǎo)通的
電流減小至維持電流以下 因此有時(shí)需要進(jìn)行強(qiáng)迫關(guān)斷,即在需關(guān)斷時(shí),對(duì)它施加反偏置電壓(即反
壓) 直至其關(guān)斷  
        相對(duì)其他功率器件 晶閘管因其具有低的導(dǎo)通壓降 過(guò)流能力強(qiáng) 耐沖擊 耐高壓 所以在
各種不同類型的電力電子變換裝置中被廣泛使用 交流電機(jī)軟啟動(dòng)就是一個(gè)典型的應(yīng)用  
         
二  晶閘管參數(shù)說(shuō)明  
       作為使用者來(lái)說(shuō) 要正確使用晶閘管 首先就要對(duì)晶閘管的各項(xiàng)電氣參數(shù)有一個(gè)詳細(xì)的了解
這樣就可以正確地選型 但往往在實(shí)際工作中 大多數(shù)人并不*了解 如晶閘管額定電流標(biāo)稱的
是平均值概念 實(shí)際工作中負(fù)載標(biāo)稱的額定電流是有效值 兩者之間是有根本區(qū)別的 因此有必要

                    
從圖 a 中可以計(jì)算出額定通態(tài)電流平均值 IT(AV)和正弦半波電流峰值 Im 之間數(shù)學(xué)表達(dá)式為:

1 單只晶閘管額定通態(tài)電流方均根值(即有效值) IRMS 
π
2 1 2 2 2 2
I RMS= I msin θ dθ =  x I T(AV)/4 
∫
2π
0
IRMS =1.57 x IT(AV)-----------------------------------------(2) 
2 兩只單獨(dú)封裝的晶閘管反并聯(lián)交流有效值:IRMS 
如圖 b 兩只獨(dú)立封裝可控硅反并聯(lián)后形成一個(gè)雙向可控硅 因雙向可控硅晶閘管額
定電流不能用平均值標(biāo)稱 因流過(guò)的電流為交流電 平均值為零 所以只能用交流有效
值 IRMS 標(biāo)稱   
由公式(1) 每個(gè)晶閘管通過(guò)的半波峰值均為 Im= IT(AV) 正負(fù)兩個(gè)半波剛好組成
一個(gè)完整的正弦波 該正弦波峰值為 x IT(AV) 所以流過(guò) MTX 模塊的額定有效值(方均
根值)  
π ×IT(AV)
IRMS= =2.22  IT(AV)--------------------------------(3) 
2
3 MTX 型號(hào)模塊交流有效值 IRMS 
如圖 c MTC 型號(hào)模塊從外部將電極 1 和 2 聯(lián)接在一起后 就是 MTX 型號(hào)模塊 反并
聯(lián)形成一個(gè)雙向可控硅晶閘管 所以也只能用交流有效值 IRMS 標(biāo)稱 公式 3 同樣適用   
但由于考慮到 MTX 內(nèi)部每個(gè)晶閘管額定平均電流 IT(AV)值是在單獨(dú)測(cè)試情況測(cè)得的,
雙管芯同時(shí)工作時(shí)(嚴(yán)格說(shuō)相差 10ms 交替導(dǎo)通),管芯之間熱量相互會(huì)有一點(diǎn)影響 故按
IRMS=(1.6-2.0)  IT(AV)考慮平均值和方均根(即有效值)為宜  
 
 晶閘管耐壓的參數(shù) VDRM;VRRM; VDSM;VRSM 
晶閘管電壓指標(biāo)有 斷態(tài)正向不重復(fù)峰值電壓 VDSM 斷態(tài)正向重復(fù)峰值電壓
VDRM 斷態(tài)反向不重復(fù)峰值電壓 VRSM 斷態(tài)反向重復(fù)峰值電壓 VRRM 以上概念
中重復(fù)意味著晶閘管陰陽(yáng)極承受的電壓在一定的漏電流范圍內(nèi)是可以重復(fù)施加的 不重
復(fù)意味著晶閘管陰陽(yáng)極承受電壓的zui大峰值 超過(guò)此zui大值漏電流變大 超過(guò)額定值 室溫和結(jié)溫時(shí)漏電流額定值不一樣 所以講耐壓指標(biāo)時(shí) 不能脫離漏電流 漏電流指標(biāo)生
產(chǎn)商在產(chǎn)品說(shuō)明書中或合格證中都給出了明確的范圍 一般地說(shuō) 室溫漏電流在 2mA 以
下 結(jié)溫漏電流在 20mA 以下  
對(duì)重復(fù)峰值電壓和不重復(fù)峰值電壓 國(guó)外一般按 VDRM= VDSM-100V VRSM= VRSM-100V
標(biāo)稱 國(guó)內(nèi)一般按 VDRM= VDSM-200V VRRM= VRSM-200V 或 VDRM= VDSM 80-90 %
VRRM= VRSM 80-90 %標(biāo)稱