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晶片熱處理爐/外延爐 HT2000
| 參考價: | 面議 |
具體成交價以合同協(xié)議為準- 產(chǎn)品型號
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訪問次數(shù)：232更新時間：2019-02-02 20:31:32
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產(chǎn)品介紹
特點：
1、高產(chǎn)能、高速率
2、高可靠性、高均一性
3、壽命長、易維護保養(yǎng)
4、高性價比
5、優(yōu)良的
6、優(yōu)良的服務
【HT2000F型外延生長爐】
HT2000F實現(xiàn)了高品質(zhì)的厚膜生長和阻抗的均一性，具有高效率、環(huán)保節(jié)能的特點，是6 - 8寸半導體硅片上外延生長厚膜的理想裝置。
在引入嶄新的設計理念和核心技術(shù)的背景下，HT2000F具有如下突出的優(yōu)勢和特點：
1、 可實現(xiàn)8寸硅片上150um以上厚膜的高速生長（>8um/min）
2、 垂直向的氣體流向控制
3、 高速的硅片旋轉(zhuǎn)
4、 多腔構(gòu)造（multi-chamber）
5、 對應于新/舊能源發(fā)電、混合動力車等新興領域不斷高漲的需求而提出的功率半導體器件的高耐壓、高性能化，HT2000F使用了高精度的面狀加熱器，同時實現(xiàn)了品質(zhì)的提升和成本的下降
6、 成膜速度和氣體利用效率比其它市場產(chǎn)品快2 - 3倍！同時，以近一半的耗電量（<120kVA）實現(xiàn)生產(chǎn)成本30%以上的削減
7、 品質(zhì)方面的指標：
a） 面內(nèi)膜厚均一性：<±1%
b） 面內(nèi)電阻率均一性： <±3%
c） 批內(nèi)膜厚均一性：<±1%
d） 批內(nèi)電阻率均一性： <±3%
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