意法半導體推出微歐功率MOSFET晶體管,提高并聯(lián)服務器電源的能效
閱讀：326發(fā)布時間：2008-01-04
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意法半導體（紐約證券交易所：STM）今天推出一款型號為STV300NH02L的新的功率MOSFET，這款新產(chǎn)品的特性是導通電阻極低，達到微歐的水平，在要求嚴格的電源系統(tǒng)中，新產(chǎn)品有助于降低損耗，提高能效。這個高電流的N溝道MOSFET器件是為并聯(lián)電源專門設計的，為了提高系統(tǒng)的可靠性，服務器廣泛使用并聯(lián)電源冗余結構。
ST開發(fā)出一項引線帶楔焊鍵合創(chuàng)新技術，典型導通電阻Rds（on） 極低，只有800微歐 （0.8毫歐），為高電流的MOSFET器件創(chuàng)造了一個新的工業(yè)基準。這款20V的產(chǎn)品是降低直流直流變換器二次側功耗的理想器件，短路保護功能十分*，關斷時間極短。
關鍵系統(tǒng)經(jīng)常使用并聯(lián)電源來提供冗余電源，或者用于提高電源輸出功率。過去這個功能通常使用二極管，現(xiàn)在，為了實現(xiàn)更高的性能，MOSFET取代了二極管。現(xiàn)在功耗低的STV300NH02L在電源效率上又向前邁出了一大步。
STV300NH02L采用PowerSO-10封裝，訂貨1000件，單價4.50美元。
