IGBT簡單來說就是一三極管。是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式電力半導體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優(yōu)點。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅動電流較大;MOSFET驅動功率很小，開關速度快，但導通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點，驅動功率小而飽和壓降低。
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor) 絕緣柵雙極型功率管 是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式電力半導體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優(yōu)點。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅動電流較大;MOSFET驅動功率很小，開關速度快，但導通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點，驅動功率小而飽和壓降低。 igbt是vmos和bjt組成，vmos是V型場效應管，電壓驅動器件，輸入阻抗高，但是輸入電容大， igbt是voms在前，bjt在后，好處是在高壓大電流應用的時候，后級的bjt壓降小，導通電阻的，效率高 非常適合應用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機、變頻器、開關電源、照明電路、牽引傳動等領域 IGBT器件將不斷開拓新的應用領域，為節(jié)能、節(jié)材，為新能源、工業(yè)自動化(高頻電焊機, 高頻超聲波, 逆變器, 斬波器, UPS/EPS, 感應加熱)提供了新的商機。
IGBT模塊是一種電壓控制器件，它的集電極（C極）和發(fā)射極（E極）之間導通與否，取決于控制極（G極）與發(fā)射極（E極）之間的電壓信號。
用萬用表可以粗略地判斷IGBT管是否已經(jīng)損壞，正常的IGBT模塊的情況如下：
接入正向控制電壓
將萬用表的黑表筆接至IGBT的集電極（C極），紅表筆接至IGBT的發(fā)射極（E極），同時，在控制極（G極）與發(fā)射極（E極）之間接入正向電壓。這時，IGBT的C-E極之間應該是導通的。
撤銷控制電壓
撤銷G-E極間的正向電壓，因為G－E極間的阻抗很大，控制極上的電荷不能立即消失，故在一段時間內，C－E極之間將保持導通狀態(tài)。
接入反向控制電壓
在G-E極之間接入反向電壓，則IGBT的集電極（Ｃ極）與發(fā)射極（E極）之間應該是截止的。
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