英飛凌PIM模塊FP15R12KT3 FP15R12KE3到貨
工藝：IGBT3 Fast/IGBT3
封裝：EasyPIM 2
特性：PIM模塊（功率集成模塊:三相橋 + 七單元 + 溫度傳感器）
飽和壓降:1.7 V
廠家:英飛凌

IGBT的串并聯(lián)
   
    A、 并聯(lián)目的是增大使用的工作電流，但器件要匹配，每塊Vce之差 < 0.3V，還要降流使用，對600V的降10%Ic，1200-1400V的降15%Ic，1700V的降20%Ic，這組值指≥200A的模塊，并要取飽和壓降相等或接近的模塊才行。柵控電路要分開，除靜態(tài)均流外，還有動態(tài)均流問題，并使溫度相接近，以免影響電流的均衡分配，因IGBT是負阻特性的器件。
    B、 串聯(lián)的目的是增高使用的工作電壓，其要求比并聯(lián)更高，主要是靜態(tài)均壓及動態(tài)均壓問題，尤其是動態(tài)均壓有一定難度。成都佳靈公司提出的容性母板技術(shù)（1+N）只串聯(lián)動態(tài)電壓箝位均壓方式已處于工業(yè)實驗階段。若動態(tài)均壓不佳，要造成串聯(lián)臂各器件上的Vce電壓不等，造成一個過壓影響同一臂一串電擊穿。
    C、 總之IGBT的串并聯(lián)應(yīng)盡量避免，不要以低壓小電流器件，通過串并聯(lián)企圖解決高電壓大電流，這樣做法往往失得其反，而器件增多可靠性更差，電路亦復(fù)雜化等，在不得而已的條件下，要慎重。目今單個IGBT的電壓或電流基本能滿足用戶的需要，隨著時代發(fā)展電路的改進，將會有更高電壓，更大電流的功率器問世，這是必然的。