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      上海驟新電子科技有限公司

      關于鹽霧試驗標準

      時間:2007-12-29閱讀:1804
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      關於鹽霧實驗的標準
      2005-10-20
        1>溫度范圍:+30~+45℃ 
      相對濕度:≥95%
      鹽霧沉降量: 1~2ml/80cm2·h
      工作室尺寸:2個區(qū)
      每區(qū)W×H×D = 380×580×230mm 
      2>溫度范圍:+30~+50℃ 
      相對濕度:≥95%
      鹽霧沉降量: 1~2ml/80cm2·h
      工作室尺寸:2個區(qū)
      每區(qū)W×H×D = 110×50×26mm 

      3>溫度范圍:+30~+50℃ 
      相對濕度:≥95%
      鹽霧沉降量: 1~2ml/80cm2·h
      工作室尺寸:2個區(qū)
      每區(qū)W×H×D = 55×40×10mm

      1 GB/T 10125-1997 人造氣氛腐蝕試驗 鹽霧試驗 
      2 GB/T 10263.7-1988 輻射探測器環(huán)境試驗基本要求與方法 鹽霧試驗 
      3 GB/T 10587-1989 鹽霧試驗箱技術條件 
      4 GB/T 10593.2-1990 電工電子產(chǎn)品環(huán)境參數(shù)測量方法 鹽霧 
      5 GB/T 11606.13-1989 分析儀器環(huán)境試驗方法 鹽霧試驗 
      6 GB/T 12000-2003 塑料暴露于濕熱、水噴霧和鹽霧中影響的測定 
      7 GB/T 12085.4-1989 光學和光學儀器 環(huán)境試驗方法 鹽霧 
      8 GB/T 12967.3-1991 鋁及鋁合金陽極氧化 氧化膜的銅加速醋酸鹽霧試驗 (CASS試驗) 
      9 GB/T 1765-1979 測定耐濕熱、耐鹽霧、耐侯性 (人工加速) 的漆膜制備法 
      10 GB/T 1771-1991 色漆和清漆 耐中性鹽霧性能的測定 
      11 GB/T 18310.26-2003 纖維光學互連器件和無源器件-基本試驗和測量程序 第2-26部分:試驗-鹽霧 
      12 GB/T 18912-2002 光伏組件鹽霧腐蝕試驗 
      13 GB/T 2423.17-1993 電工電子產(chǎn)品基本環(huán)境試驗規(guī)程 試驗Ka: 鹽霧試驗方法 
      14 GB/T 2423.18-2000 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗 第二部分: 試驗--試驗Kb:鹽霧, 交變(氯化鈉溶液) 
      15 GB/T 4797.6-1995 電工電子產(chǎn)品自然環(huán)境條件 塵、沙、鹽霧 
      16 GB/T 5170.8-1996 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗設備基本參數(shù)檢定方法 鹽霧試驗設備


       

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