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Nand-flash內(nèi)存是FLASH內(nèi)存的一種，其內(nèi)部采用非線性宏單元模式，為固態(tài)大容量內(nèi)存的實現(xiàn)提供了廉價有效的解決方案。Nand-flash存儲器具有容量較...
型號：所在地：參考價：面議更新時間：2022/1/1 11:08:07 對比
ATO
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型號：所在地：參考價：面議更新時間：2022/1/1 11:06:54 對比
DDR2 SDRAM
JSC濟州半導(dǎo)體是大的移動應(yīng)用解決方案提供商之一的SRAM由于濟州半導(dǎo)體出道到SRAM（靜態(tài)隨機存取存儲器）和4M SRAM的2001市場，濟州半導(dǎo)體持續(xù)實施全...
型號：所在地：參考價：面議更新時間：2022/1/1 11:05:51 對比
DDR1 SDRAM
JSC濟州半導(dǎo)體是大的移動應(yīng)用解決方案提供商之一的SRAM由于濟州半導(dǎo)體出道到SRAM（靜態(tài)隨機存取存儲器）和4M SRAM的2001市場，濟州半導(dǎo)體持續(xù)實施全...
型號：所在地：參考價：面議更新時間：2022/1/1 11:04:28 對比
SDR SDRAM
JSC濟州半導(dǎo)體是大的移動應(yīng)用解決方案提供商之一的SRAM由于濟州半導(dǎo)體出道到SRAM（靜態(tài)隨機存取存儲器）和4M SRAM的2001市場，濟州半導(dǎo)體持續(xù)實施全...
型號：所在地：參考價：面議更新時間：2022/1/1 11:03:06 對比
32位 DDR4 SDRAM
DDR4是主流DRAM技術(shù)，其新功能集中在節(jié)能，性能增強，可制造性和可靠性方面。這些新功能提高了企業(yè)，云，超薄，平板電腦，汽車和嵌入式市場的性能，功耗，可制造...
型號：所在地：參考價：面議更新時間：2022/1/1 11:01:23 對比
UniIC
SDRAM從發(fā)展到現(xiàn)在已經(jīng)經(jīng)歷了五代，分別是：代SDR SDRAM，第二代DDR SDRAM，第三代DDR2 SDRAM，第四代DDR3 SDRAM，第五代，D...
型號：所在地：參考價：面議更新時間：2022/1/1 10:59:48 對比
Etron
SDRAM從發(fā)展到現(xiàn)在已經(jīng)經(jīng)歷了五代，分別是：代SDR SDRAM，第二代DDR SDRAM，第三代DDR2 SDRAM，第四代DDR3 SDRAM，第五代，D...
型號：所在地：參考價：面議更新時間：2022/1/1 10:58:15 對比
Chiplus
SDRAM從發(fā)展到現(xiàn)在已經(jīng)經(jīng)歷了五代，分別是：代SDRSDRAM，第二代DDR SDRAM，第三代DDR2 SDRAM，第四代DDR3 SDRAM，第五代，DD...
型號：所在地：參考價：面議更新時間：2022/1/1 10:56:41 對比
nvNITRO
EverspinMRAM是一種具有革命性的存儲器，其原理是利用電子自旋的磁性結(jié)構(gòu)，來提供不會產(chǎn)生損耗的非揮發(fā)特性。Everspin MRAM可在集成了硅電路的磁...
型號：所在地：參考價：面議更新時間：2021/12/31 15:11:02 對比
DDR3/DDR4 ST-MRAM
Everspin MRAM是一種具有革命性的存儲器，其原理是利用電子自旋的磁性結(jié)構(gòu)，來提供不會產(chǎn)生損耗的非揮發(fā)特性。Everspin MRAM可在集成了硅電路的...
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Quad Serial MRAM
Everspin MRAM是一種具有革命性的存儲器，其原理是利用電子自旋的磁性結(jié)構(gòu)，來提供不會產(chǎn)生損耗的非揮發(fā)特性。Everspin MRAM可在集成了硅電路的...
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Parellel MRAM
?Everspin MRAM是一種具有革命性的存儲器，其原理是利用電子自旋的磁性結(jié)構(gòu)，來提供不會產(chǎn)生損耗的非揮發(fā)特性。Everspin MRAM可在集成了硅電路...
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Serial MRAM
Everspin MRAM是一種具有革命性的存儲器，其原理是利用電子自旋的磁性結(jié)構(gòu)，來提供不會產(chǎn)生損耗的非揮發(fā)特性。Everspin MRAM可在集成了硅電路的...
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APmemory
偽靜態(tài)存儲器（ParrallelpSRAM）的設(shè)計是用于直接替代靜態(tài)隨機存儲器（SRAM），即使內(nèi)部存儲器的操作并非靜態(tài)。商業(yè)化的兩種偽靜態(tài)存儲器分別是偽靜態(tài)隨...
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winbond
偽靜態(tài)存儲器（ParrallelpSRAM）的設(shè)計是用于直接替代靜態(tài)隨機存儲器（SRAM），即使內(nèi)部存儲器的操作并非靜態(tài)。商業(yè)化的兩種偽靜態(tài)存儲器分別是偽靜態(tài)隨...
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芯天下
偽靜態(tài)存儲器（ParrallelpSRAM）的設(shè)計是用于直接替代靜態(tài)隨機存儲器（SRAM），即使內(nèi)部存儲器的操作并非靜態(tài)。商業(yè)化的兩種偽靜態(tài)存儲器分別是偽靜態(tài)隨...
型號：所在地：參考價：面議更新時間：2021/12/31 15:00:24 對比
XM6A系列-DDR3接口
X型隨機存儲器，是基于TLC DRAM（三態(tài) DRAM）和RFDRAM（免刷新DRAM）技術(shù)而成的新型存儲器。不同于傳統(tǒng)的DRAM和SRAM, XRAM 具有以...
型號：所在地：參考價：面議更新時間：2021/12/31 14:58:50 對比
XM7A系列-166Mhz同步接口
X型隨機存儲器，是基于TLC DRAM（三態(tài) DRAM）和RFDRAM（免刷新DRAM）技術(shù)而成的新型存儲器。不同于傳統(tǒng)的DRAM和SRAM, XRAM 具有以...
型號：所在地：參考價：面議更新時間：2021/12/31 14:57:28 對比
XM8A系列-10ns高速異步接口
X型隨機存儲器，是基于TLC DRAM（三態(tài) DRAM）和RFDRAM（免刷新DRAM）技術(shù)而成的新型存儲器。不同于傳統(tǒng)的DRAM和SRAM, XRAM 具有以...
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