美國波特蘭消息—隨著日本宇宙航空研究開發(fā)機構(gòu)發(fā)射SpriteSat衛(wèi)星，MRAM技術(shù)已經(jīng)向太空應(yīng)用挺進(jìn)。據(jù)瑞典Angstrom Aerospace公司宣布，其微機電系統(tǒng)磁強計將采用MRAM來替代日本研究的衛(wèi)星上的SRAM以及閃存。

“MRAM替代了Angstrom為SpriteSat設(shè)計的模塊中的閃存以及電池供電的SRAM，”位于斯德哥爾摩的瑞典*科技學(xué)院材料以及陀螺電子學(xué)專家、教授Johan Akerman說，“MRAM能夠重新配置重要的程序以及衛(wèi)星任務(wù)的不同級的路線分辨率，這就是它的重大益處。”

MRAM的構(gòu)想在1990年提出，意在替代從RAM到硬盤的不同類型的存儲器。因為它屬于固體存儲器，MRAM超過了硬盤的旋轉(zhuǎn)機制。此外，因為每一個比特可以無限次地擦除和重寫，MRAM超過了閃存，閃存只能以大塊擦除和重寫1百萬次，然后將失效。MRAM還是非易失性存儲器。

除了這些好處之外，MRAM還有待完善。因為在MRAM發(fā)展過程中存在的問題，即使zui高密度的MRAM芯片，如飛思卡爾的MR2A16A只能以大約20美元的單位成本存儲4Mb的數(shù)據(jù)，相比之下，價值5美元的閃存可以存儲4Gb。對于像軍事以及航天這樣的利基應(yīng)用，MRAM正開始替代其它類型的存儲器。

Angstrom Aerospace正在其衛(wèi)星子系統(tǒng)中*采用MRAM。MRAM將存儲程序數(shù)uyiji為現(xiàn)場可編程陣列存儲配置比特。此外，MRAM具有比較方便的可重編程性，從而容許程序代碼以及FPGA被由地面上傳遞至MRAM的新存儲鏡像進(jìn)行重新配置。

Angstrom Aerospace的子系統(tǒng)將在2008年下半年由SpriteSat衛(wèi)星發(fā)射升空，其中搭載的復(fù)雜磁強計將檢測地球的磁場以及衛(wèi)星的軌道。SpriteSat的整個任務(wù)就是在較高的大氣層通過可見光效應(yīng)來研究“Sprites”。

此外，位于英國的e2v"Technologies PLC宣布，它正在測試飛思卡爾半導(dǎo)體公司的MR2A16A MRAM，以便驗證其是否符合-55度+125的軍用溫度規(guī)范。目前，飛思卡爾的MRAM工作溫度在-40 至+105度之間。