韓國(guó)開(kāi)發(fā)出“3納米”半導(dǎo)體技術(shù) 
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韓國(guó)開(kāi)發(fā)出“3納米”半導(dǎo)體技術(shù)  
中國(guó)自動(dòng)化網(wǎng) 發(fā)表時(shí)間:2006-3-17 10:56:35 【字體：大 中 小】   
　  據(jù)《韓國(guó)經(jīng)濟(jì)新聞》１５日?qǐng)?bào)道，韓國(guó)科學(xué)家成功開(kāi)發(fā)出電路線寬只有３納米的半導(dǎo)體技術(shù)，有望使電腦運(yùn)算速度提高２０多倍。  
　　報(bào)道說(shuō)，韓國(guó)科學(xué)技術(shù)院教授崔養(yǎng)圭等人開(kāi)發(fā)出的硅半導(dǎo)體電路線寬僅３納米，相當(dāng)于成人頭發(fā)絲直徑的４萬(wàn)分之一。這種半導(dǎo)體采用新型三維結(jié)構(gòu)  
，可在常溫下保持良好的半導(dǎo)體功能。  
　　科學(xué)家稱，該技術(shù)可應(yīng)用于制造新一代電腦*處理器、動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器、靜態(tài)存儲(chǔ)器和閃存等。采用３納米半導(dǎo)體技術(shù)的*處理器運(yùn)算速度可達(dá)到１００ＧＨｚ，相當(dāng)于現(xiàn)有產(chǎn)品的２５倍。  
　　此前，科學(xué)家認(rèn)為利用硅材料只能制造出電路線寬zui小５納米的半導(dǎo)體，并因此把硅半導(dǎo)體的zui小集成規(guī)格限定為５納米?？茖W(xué)家預(yù)計(jì)，如果要制造小于５納米的半導(dǎo)體，必須采用碳納米管或分子材料。崔養(yǎng)圭等開(kāi)發(fā)出的３納米硅半導(dǎo)體打破了這一看法。