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芯片市場(chǎng)群雄逐鹿 誰將突破7nm工藝？
1月25日，據(jù)外媒消息稱，三星計(jì)劃從2018年初開始量產(chǎn)7納米芯片。三星LSI部門常務(wù)董事Heo Kuk博士聲稱，“我們將把EUV在7納米工藝中的使用率大化，保證7納米工藝在性能和能耗上的競爭力。”
去年11月，三星宣布開始量產(chǎn)10納米芯片，預(yù)計(jì)它將把這些芯片應(yīng)用到今年的旗艦智能手機(jī)上。如果三星的7納米芯片真能在明年初進(jìn)入量產(chǎn)階段，那就意味著它將趕上三星的Galaxy S9智能手機(jī)的發(fā)布計(jì)劃。
與此同時(shí)，三星在半導(dǎo)體領(lǐng)域的競爭對(duì)手臺(tái)積電計(jì)劃在今年第二季度測(cè)試7納米芯片。臺(tái)媒表示，臺(tái)積電已開始試產(chǎn)7nm工藝，快將在明年一季度正式投產(chǎn)，并傳言高通將可能回歸采用7nm工藝生產(chǎn)其芯片，但業(yè)內(nèi)人士對(duì)這一消息持有一定的疑問。
早在2014年的時(shí)候臺(tái)積電就說16nm工藝進(jìn)展良好，但事實(shí)上當(dāng)時(shí)投產(chǎn)的16nm工藝能效不佳。而臺(tái)積電的10nm工藝也一度被臺(tái)媒大力吹捧，甚至說會(huì)趕在三星之前投產(chǎn)，不過事實(shí)是去年10月份三星首先量產(chǎn)該工藝。有了16nm FinFET和10nm工藝的前車之鑒，臺(tái)積電此次的7nm工藝是否能三星讓人懷疑。
當(dāng)然，除了這幾家行業(yè)大佬之外，作為芯片巨頭的英特爾自然不會(huì)錯(cuò)過這場(chǎng)角逐。在日前的盈余電話會(huì)議上，英特爾宣布，為了進(jìn)一步探索芯片生產(chǎn)工藝，公司將在今年建立一座7nm試驗(yàn)工廠。
消息稱，英特爾的試驗(yàn)工廠將會(huì)測(cè)試7nm芯片生產(chǎn)工藝。雖然他們并未提及會(huì)在何時(shí)開始這種芯片的量產(chǎn)，但至少不會(huì)在未來2-3年內(nèi)。“這條試驗(yàn)生產(chǎn)線是為了搞清楚如何進(jìn)行芯片的量產(chǎn)。”Mercury Research分析師Dean McCarron說道，“一旦確定了制作工藝，其他的工廠就會(huì)進(jìn)行復(fù)制。”業(yè)內(nèi)人士表示，這座工廠雖然產(chǎn)能有限，但卻為未來7nm芯片的生產(chǎn)奠定了基礎(chǔ)。
此外，英特爾還希望利用7nm去緩解他們?cè)?4/10nm處理器上遇到的一些挑戰(zhàn)。據(jù)悉，他們將會(huì)在生產(chǎn)中引入極紫外線工具，來幫助進(jìn)行更加精細(xì)的功能蝕刻。但在此之前，這項(xiàng)技術(shù)的實(shí)裝已經(jīng)被延期數(shù)次。
在這場(chǎng)硝煙中，英特爾是否能成功登頂？英特爾表示，他們將憑借著7nm工藝回到2年生產(chǎn)周期，同時(shí)使用更智能的芯片設(shè)計(jì)。7nm工藝將為芯片帶來更大的設(shè)計(jì)變化，使其變得更小也更節(jié)能。英特爾計(jì)劃使用奇特的III-V材料(比如氮化鎵)來進(jìn)行芯片生產(chǎn)，在提高性能速度的同時(shí)實(shí)現(xiàn)更長續(xù)航。
但從目前情況來看，包括Globalfoundries在內(nèi)的芯片廠商都已經(jīng)開始了在7nm工藝上的探索。Globalfoundries表示，他們將在2018年開始7nm芯片的生產(chǎn)，ARM也發(fā)布了7nm芯片的設(shè)計(jì)工具。在激烈的市場(chǎng)角逐中誰將突破技術(shù)難關(guān)，從中脫穎而出，站上7nm工藝的制高點(diǎn)仍是個(gè)未知數(shù)。
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