【中國智能制造網(wǎng) 技術(shù)前沿】IBM當(dāng)?shù)貢r間周二宣布了自己在所謂“相變化內(nèi)存”(PhaseChangeMemory,PCM)技術(shù)上取得的重大進步，而這一技術(shù)進步則將幫助我們突破現(xiàn)有電子設(shè)備運行速度的瓶頸。　　事實上，“相變化內(nèi)存”多年來一直處于研發(fā)階段，但IBM認(rèn)為這項技術(shù)的成本已降至了可被消費者電子設(shè)備接受的范圍內(nèi)。同時，這一技術(shù)對于諸如Facebook這些需要迅速訪問大量信息的企業(yè)也會帶來巨大幫助。
　　
　　據(jù)悉，IBM研究員哈里斯-珀奇迪斯(HarisPozidis)在當(dāng)時間周二的巴黎存儲技術(shù)大會上公布了公司取得的這一成績，而他則相信“相變化內(nèi)存”會在2017年正式投入商用。
　　
　　簡單來說，“相變化內(nèi)存”需要對芯片內(nèi)特殊微型玻璃材料進行電加熱，而這些材料中每個單元的降溫方式則決定了芯片中所保存的數(shù)據(jù)大小。比如，在逐步降溫的過程中，材料原子將會呈晶格式排列。而在迅速降溫時，材料原子的排列將雜亂無章。不過，IBM已經(jīng)對這項技術(shù)進行了改進以確保其能夠存儲更多的數(shù)據(jù)位。而早在2011年，IBM就成功實現(xiàn)了在單個單位中保存兩位數(shù)據(jù)。
　　
　　在本周巴黎存儲技術(shù)大會上，珀奇迪斯宣布“相變化內(nèi)存”單位已可以保存三位數(shù)據(jù)。而在一塊芯片中保存更多的數(shù)據(jù)就意味著這一技術(shù)成本的下降，因此其相較于傳統(tǒng)存儲技術(shù)也更具競爭優(yōu)勢。
　　
　　平心而論，我們大多數(shù)人都將計算機、電子設(shè)備在近年來取得的逐步進步認(rèn)作是理所應(yīng)當(dāng)?shù)氖虑?。但事實上，無論是筆記本變得更薄還是網(wǎng)絡(luò)速度變得更快的背后都凝聚了無數(shù)人的辛勤勞動和付出。而且，將一項新技術(shù)正式投入商用也不是一件簡單的事情。
　　
　　目前，我們使用的手機和PC設(shè)備通常會同時使用兩種技術(shù)保存數(shù)據(jù)，它們分別是能耗較大的DRAM動態(tài)存儲和存取速度較慢、成本較低、即便在斷電情況下也能保存數(shù)據(jù)的閃存。不過，“相變化內(nèi)存”結(jié)合了DRAM和閃存的優(yōu)點。具體來說就是，DRAM動態(tài)存儲的存取速度是“相變化內(nèi)存”的5到10倍，但后者的存取速度卻是閃存的70倍左右。因此，使用“相變化內(nèi)存”技術(shù)的手機應(yīng)用加載速度將比閃存更快。
　　
　　IBM預(yù)計，“相變化內(nèi)存”的未來成本將會低于DRAM，甚至可以降至與閃存相當(dāng)?shù)乃?。?dāng)然，要想讓“相變化內(nèi)存”技術(shù)的制造成本降低至閃存的水平也并非易事。因為如今依舊有許多廠商在繼續(xù)改進閃存技術(shù)，且取得了不錯的成效。其中一個為明顯的例子就是，代iPad的大存儲容量僅為64GB，而新iPadPro的大內(nèi)存已經(jīng)提高至了256GB級別。