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近日，光通信領(lǐng)域的企業(yè)瀚孚光電(HieFo)正式推出了其HCL30 DFB激光芯片，專為滿足相干光傳輸?shù)膰?yán)苛要求而設(shè)計。
這款芯片融合了高效光輸出功率的窄線寬性能，提供O波段與C波段的多個行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)波長選擇，為數(shù)據(jù)中心、人工智能連接、通信及通用傳感等領(lǐng)域帶來了性能提升。
HieFo聯(lián)合創(chuàng)始人兼首席執(zhí)行官Genzao Zhang博士表示：“HCL30 DFB激光芯片是專為‘Coherent Lite’市場需求開發(fā)的；然而，基于HieFo最近在芯片設(shè)計方面的創(chuàng)新，這款激光芯片的性能將廣泛應(yīng)用于數(shù)據(jù)中心、人工智能連接、通信以及通用傳感等領(lǐng)域。”
HieFo的HCL30是一款1毫米腔長的芯片，提供裸片或安裝在專有底座上的芯片載體(COC)格式。該設(shè)備在提供150 mW典型光輸出功率的同時，能夠?qū)崿F(xiàn)小于300 KHz的光譜線寬性能。
HCL30是今天基于硅光集成設(shè)計的高度集成光學(xué)平臺中理想的集成解決方案。新興的CPO(共封裝光學(xué))和LPO(分布式光學(xué))技術(shù)也可以利用這款新發(fā)布的激光芯片的獨(dú)特性能。
HCL30是HieFo在最近的InP芯片設(shè)計架構(gòu)創(chuàng)新中推出的首款新型DFB激光產(chǎn)品。未來還將推出其他產(chǎn)品變種，以滿足特定的光學(xué)設(shè)計需求，例如超高光輸出功率的高效設(shè)計或極窄線寬性能。
推出下一代高功率增益芯片HGC20
此前不久，HieFo還推出了用于集成可調(diào)諧激光器組件(xITLA)的下一代高功率增益芯片HGC20。
芯片設(shè)計解決了市場對更高光輸出功率和更低電能消耗的關(guān)鍵需求。HieFo的HGC20 C+波段增益芯片作為下一代集成可調(diào)諧激光器(xITLA)的基礎(chǔ)構(gòu)件，設(shè)立了新的性能標(biāo)桿。
Genzao Zhang博士表示：“HGC20增益芯片的推出，是HieFo未來幾個月和幾年中將為光通信市場帶來的創(chuàng)新的一個例子。”
他補(bǔ)充稱：“HieFo在芯片基礎(chǔ)設(shè)計上進(jìn)行了顯著的增強(qiáng)改進(jìn)，這將成為InP基芯片廣泛應(yīng)用的基礎(chǔ)，推動下一代數(shù)據(jù)中心、通信和AI連接市場的光互連。”
HGC20是一款1毫米腔長芯片，安裝在專有底座上，光輸出功率可接近22dBm(取決于驅(qū)動電流)。對于需要較低模塊整體功耗的應(yīng)用，HGC20的高效設(shè)計使其墻插效率(WPE)相較于市面上常見的增益芯片提升了多達(dá)40%。
HieFo的增益芯片技術(shù)已成為可調(diào)諧激光器市場的基礎(chǔ)構(gòu)件超過15年。HGC20在頻率精確性、窄線寬和低噪聲等性能參數(shù)上繼續(xù)保持行業(yè)地位。
收購光電器件廠商EMCORE資產(chǎn)
HieFo公司總部位于美國加州，近期該公司通過管理層收購，繼承了全球最大的航空航天和國防工業(yè)慣性導(dǎo)航解決方案提供商EMCORE在光電子器件領(lǐng)域超過40年的創(chuàng)新遺產(chǎn)。
HieFo現(xiàn)專注于開發(fā)和商業(yè)化用于光通信行業(yè)的高效光子器件，并將繼續(xù)追求最具創(chuàng)新性和顛覆性的解決方案，以服務(wù)于數(shù)據(jù)通信、通信、人工智能連接和通用傳感行業(yè)。
據(jù)悉，今年4月30日，HieFo向EMCORE購買了后者的芯片業(yè)務(wù)和磷化銦(InP)晶圓制造業(yè)務(wù)，總購買價格為292萬美元。
此次包括轉(zhuǎn)讓與EMCORE非核心已停產(chǎn)芯片業(yè)務(wù)線相關(guān)的幾乎所有資產(chǎn)，包括其在加利福尼亞州阿爾罕布拉市的InP晶圓制造業(yè)務(wù)中使用的資產(chǎn)，包括但不限于設(shè)備、合同、知識產(chǎn)權(quán)和庫存。
HieFo最初將轉(zhuǎn)租其阿爾罕布拉基地的一棟完整的建筑和另一棟建筑的一部分，最終將轉(zhuǎn)租兩座完整的建筑，并從2024年7月1日開始按比例支付這些建筑的租金。
HieFo還成功聘請了EMCORE已停產(chǎn)芯片業(yè)務(wù)的幾乎所有關(guān)鍵科學(xué)家、工程師和運(yùn)營人員，并將繼續(xù)在EMCORE Alhambra園區(qū)開展業(yè)務(wù)。
銦磷化物芯片工廠恢復(fù)生產(chǎn)
HieFo近期宣布，其位于加利福尼亞州阿罕布拉的銦磷化物(InP)晶圓制造工廠已于2024年8月23日成功重啟生產(chǎn)，此舉緊隨其從EMCORE公司管理層收購晶圓制造及芯片相關(guān)業(yè)務(wù)資產(chǎn)之后。該收購于2024年5月初順利完成，HieFo隨即接手運(yùn)營。
通過此次交易，HieFo不僅吸納了EMCORE原有的關(guān)鍵科學(xué)家、工程師及運(yùn)營精英團(tuán)隊，還繼承了超過四十年的InP芯片設(shè)計與制造領(lǐng)域的全球領(lǐng)導(dǎo)地位，以及豐富的先進(jìn)光電子器件知識產(chǎn)權(quán)。
值得注意的是，EMCORE曾計劃退出InP芯片業(yè)務(wù)，導(dǎo)致晶圓制造業(yè)務(wù)一度暫停。但HieFo憑借經(jīng)驗豐富的核心團(tuán)隊及雄厚的資金實力，迅速恢復(fù)了阿罕布拉園區(qū)的生產(chǎn)活動。
過去三個月里，HieFo團(tuán)隊全力以赴，重啟了閑置設(shè)備，恢復(fù)了MOCVD反應(yīng)器的外延晶圓生長與再生能力，重啟了前端微制造工藝，并在后端構(gòu)建了完善的器件測試、芯片準(zhǔn)備及分離流程。
目前，HieFo生產(chǎn)的InP基器件(包括激光器、增益芯片、SOA、PIN/APD探測器等)已通過嚴(yán)格的可靠性驗證測試，其性能、質(zhì)量與可靠性均達(dá)到甚至超越了既定標(biāo)準(zhǔn)。
尤為值得一提的是，HieFo已準(zhǔn)備好一款新設(shè)計的芯片投入量產(chǎn)，該芯片被設(shè)計為支持高達(dá)1.6Tbps的單載波波長收發(fā)器，展現(xiàn)了其技術(shù)創(chuàng)新的實力。多家領(lǐng)先的光模塊制造商已向HieFo拋出橄欖枝，預(yù)訂其高效光器件。這一成就標(biāo)志著HieFo在推動電信、數(shù)據(jù)通信及AI連接行業(yè)創(chuàng)新解決方案方面邁出了堅實的一步。
HieFo公司首席執(zhí)行官對此表示：“我們無比欣喜地宣布阿罕布拉工廠光器件生產(chǎn)的全面恢復(fù)，這不僅是HieFo對高性能光芯片生產(chǎn)連續(xù)性與卓越性承諾的生動體現(xiàn)，更是我們持續(xù)引領(lǐng)行業(yè)發(fā)展的堅定信心。”
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