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SK海力士出局！三星獨家供貨英偉達12層HBM3E內(nèi)存

2024-03-26 09:46:34來源：快科技關(guān)鍵詞：芯片制造半導體設備閱讀量：22050

導讀：據(jù)媒體報道，英偉達最快將從9月開始大量購買12層HBM3E內(nèi)存，這些內(nèi)存將由三星電子獨家供貨。

　　3月25日消息，據(jù)媒體報道，英偉達最快將從9月開始大量購買12層HBM3E內(nèi)存，這些內(nèi)存將由三星電子獨家供貨。

　　在GTC 2024上，黃仁勛曾在三星電子的12層HBM3E實物產(chǎn)品上留下了"黃仁勛認證(JENSEN APPROVED)"的簽名。

　　而SK海力士因部分工程問題，未能推出12層HBM3E產(chǎn)品，但計劃從本月末開始批量生產(chǎn)8層HBM3E產(chǎn)品。

　　今年2月27日，三星電子官宣成功開發(fā)出業(yè)界首款36GB 12H(12層堆疊)HBM3E DRAM內(nèi)存。

　　據(jù)介紹，HBM3E 12H能夠提供高達1280GB/s的帶寬和迄今為止最大的36GB容量，相比于8層堆疊的HBM3 8H，在帶寬和容量上提升超過50%。

　　同時相比于8層堆疊，其AI訓練速度平均提高34%，同時推理服務用戶數(shù)量也可增加超過11.5倍。

　　在此前的GTC2024大會上，英偉達正式發(fā)布了B200和GB200系列芯片。

　　據(jù)黃仁勛介紹，B200擁有2080億個晶體管，采用臺積電4NP工藝制程，可以支持多達10萬億個參數(shù)的AI大模型，還通過單個GPU提供20 petaflops的AI性能。

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