北京第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟關(guān)于團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)T/CASAS 034《用于軟開關(guān)電路的GaN HEMT動(dòng)態(tài)導(dǎo)通電阻測(cè)試方法》等三項(xiàng)標(biāo)準(zhǔn)立項(xiàng)的通知

2023-11-24 13:53:55來源：北京第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟關(guān)鍵詞：半導(dǎo)體軟開關(guān)電路閱讀量：34034

導(dǎo)讀：《碳化硅襯底晶體生長(zhǎng)用石墨構(gòu)件純度測(cè)定方法》、《用于軟開關(guān)電路的氮化鎵高電子遷移率晶體管動(dòng)態(tài)電阻測(cè)試方法》等三項(xiàng)標(biāo)準(zhǔn)立項(xiàng)獲批。

　　由聯(lián)盟成員單位賽邁科先進(jìn)材料股份有限公司牽頭，聯(lián)合北京北方華創(chuàng)微電子裝備有限公司、湖南三安半導(dǎo)體有限公司、山東大學(xué)、中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所聯(lián)合提出的《碳化硅襯底晶體生長(zhǎng)用石墨構(gòu)件純度測(cè)定方法》團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)提案，經(jīng)CASAS管理委員會(huì)投票獲得通過，2023年11月20日正式立項(xiàng)，并分配標(biāo)準(zhǔn)編號(hào)：：T/CASAS 036。

　　由聯(lián)盟成員單位浙江大學(xué)、浙江大學(xué)杭州國際科創(chuàng)中心牽頭，聯(lián)合英諾賽科(珠海)科技有限公司、納微達(dá)斯(上海)有限公司、杭州士蘭微電子股份有限公司、工業(yè)和信息化部電子第五研究所、英飛凌科技(中國)有限公司、矽力杰半導(dǎo)體技術(shù)(杭州)有限公司、香港科技大學(xué)提出的《用于軟開關(guān)電路的氮化鎵高電子遷移率晶體管動(dòng)態(tài)電阻測(cè)試方法》、《用于第三象限的氮化鎵高電子遷移率晶體管動(dòng)態(tài)電阻測(cè)試方法》團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)提案，經(jīng)CASAS管理委員會(huì)投票獲得通過，2023年11月20日正式立項(xiàng)，并分配標(biāo)準(zhǔn)編號(hào)：T/CASAS 034、T/CASAS 035。

　　秘書處將向CASAS正式成員發(fā)出征集起草單位的通知，組建標(biāo)準(zhǔn)起草小組，請(qǐng)CASAS正式成員關(guān)注秘書處郵件。

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