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在2021年，有越來越多的內(nèi)存廠商使用了合肥長鑫公司開發(fā)的DDR4內(nèi)存芯片，產(chǎn)能也在穩(wěn)步增長，據(jù)悉2021年已達6萬晶圓/月，消息稱今年的產(chǎn)能將翻倍，達到12萬晶圓/月的水平，同時還會有更先進的17nm工藝DDR5/LPDDR5等內(nèi)存芯片。
據(jù)介紹，合肥長鑫存儲作為一體化存儲器制造商，專業(yè)從事動態(tài)隨機存取存儲芯片(DRAM)的設(shè)計、研發(fā)、生產(chǎn)和銷售，目前已建成第一座12英寸晶圓廠并投產(chǎn)，18年研發(fā)國內(nèi)首個8Gb DDR4芯片，2019年Q3季度量產(chǎn)，2020年多款國產(chǎn)內(nèi)存已經(jīng)用上了長鑫的顆粒。
產(chǎn)能方面，長鑫在2020年、2021年分別實現(xiàn)了4.5萬片晶圓/月、6萬片晶圓/月的目標(biāo)，2022年的產(chǎn)能目標(biāo)是12萬片晶圓/月，未來的產(chǎn)能目標(biāo)是30萬片晶圓/月。
國產(chǎn)內(nèi)存今年的產(chǎn)能目標(biāo)在全球是什么水平？此前TrendForce預(yù)測，2021年底全球內(nèi)存產(chǎn)能將達到150萬晶圓/月，三星產(chǎn)能超過55.5萬晶圓/月，SK海力士是36萬片晶圓/月，美光也有35.5萬晶圓/月。
如果今年內(nèi)國產(chǎn)內(nèi)存產(chǎn)能如期建成，那么合肥長鑫能進入全球第四，不過與前三名的差距還很大。
當(dāng)然，國產(chǎn)內(nèi)存擴增產(chǎn)能依然是好事，用網(wǎng)友的話說就是國內(nèi)有自己的內(nèi)存芯片生產(chǎn)，就不怕別人的內(nèi)存廠失火、斷電、地震等災(zāi)難了。
除了產(chǎn)能擴增，國產(chǎn)內(nèi)存的技術(shù)水平也在追趕，目前長鑫量產(chǎn)的主要是第一代10nm級別工藝10G1，實際水平應(yīng)該是19nm，主要以DDR4、LPDDR4為主，2020年報道中提到研發(fā)17nm及以下工藝的DDR5、LPDDR5等內(nèi)存，這是10G3代工藝，未來還有10G5工藝，除了DDR5、LPDDR5之外還有GDDR6顯存。
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