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      斯坦福宣布相變存儲器研究新突破:為超快、節(jié)能計算鋪平了道路

      2021-11-06 13:26:04來源:cnBeta.COM 關(guān)鍵詞:相變存儲器存儲設(shè)備閱讀量:25095

      導讀:科學技術(shù)地迅速發(fā)展,正在改變著人們的生活。
        數(shù)十年來,科學家們一直在為從大型數(shù)據(jù)中心、到移動傳感器、以及其它柔性電子設(shè)備,尋找更快、更節(jié)能的存儲技術(shù)。當前十分具有前途的數(shù)據(jù)存儲技術(shù)之一,就是所謂的相變存儲(Phase-Change Memory),特點是速度可達到傳統(tǒng)硬盤驅(qū)動器的數(shù)千倍。但在新興存儲類型中,它并不是十分節(jié)能的。
       
        好消息是,斯坦福大學的工程師們,剛剛克服了限制相變存儲器被廣泛采用的一個關(guān)鍵障礙,并在《科學》雜志上分享了他們的新研究成果。
       
        研究資深作者、電氣工程教授 Eric Pop 表示:長期以來,人們一直期待著相變存儲能夠快速取代手機 / 筆記本電腦中的部件。
       
        這項技術(shù)未被采用的一個原因,就是它需要消耗較其它技術(shù)方案更高的運行功率。但新研究已證明,相變存儲器可以做到既快速又節(jié)能。
       
        與使用晶體管和其它硬件構(gòu)建的傳統(tǒng)存儲芯片不同,典型的相變存儲設(shè)備由夾在兩個金屬電極之間的鍺、銻、碲(簡稱 GST)三種元素的化合物制成。
       
        以閃存驅(qū)動器為例,傳統(tǒng)裝置需要通過打開和關(guān)閉電子流來存儲數(shù)據(jù),以對應‘0’和‘1’。
       
        而在相變存儲器中,‘0’和‘1’代表的是 GST 材料中的電阻測量值,即其對電流的抵抗程度。
       
        研究合著者、博士生 Asir Intisar Khan 補充道:
       
        典型相變存儲器件可保存兩種電阻狀態(tài),高電阻意味‘0’、低電阻意味‘1’。
       
        不過我們可以利用電極電脈沖產(chǎn)生的熱量,使之在瞬間(1ns 內(nèi))從‘1’切換到‘0’,反之亦然 。
       
        據(jù)悉,在加熱到大約 300 ℉(150 ℃)時,會使 GST 化合物變成具有低電阻的結(jié)晶狀態(tài)。
       
        在大約 1000 ℉(600 ℃)時,結(jié)晶原子優(yōu)惠變得無序,將一部分化合物轉(zhuǎn)變?yōu)榫哂懈唠娮璧姆庆o態(tài)。
       
        利用兩種狀態(tài)之間的巨大電阻差異,便可運用于存儲器的數(shù)據(jù)存儲編程。
       
        Asir Intisar Khan 解釋稱:“這種巨大的電阻值變化過程是可逆的,并且能夠通過打開和關(guān)閉脈沖來引起”。
       
        即使離開幾年后,你仍可回來重新讀取每一比特的電阻。此外一旦完成了配置,它就無需任何電力來維持,特性上與傳統(tǒng)閃存存儲器類似。
       
        不過在狀態(tài)之間的切換,通常需要消耗大量能源,這樣無疑會對移動電子產(chǎn)品的電池續(xù)航造成拖累。
       
        為了應對這一挑戰(zhàn),斯坦福大學團隊開始著手一種低功耗的相變存儲單元,并且可嵌入彎曲的智能機、可穿戴身體傳感器、以及其它基于電池供電的移動設(shè)備上常用的柔性 PCB 基板上。
       
        研究合著者、博士后學者 Alwin Daus 表示:“這些裝置需要低成本和低能耗才能有效工作,但許多柔性 PCB 基材會在 390 ℉(200 ℃)以上出現(xiàn)形變或熔化”。
       
        有趣的是,Daus 與同事們發(fā)現(xiàn),具有低熱導率的塑料基板,有助于減少存儲單元中的電流、使之更高效地運行。Eric Pop 說道:
       
        新器件在柔性基板上將編程電流密度降低到了 1/10,且能夠在剛性硅材料上降至 1/100 。
       
        我們的秘密武器包含了三種成分,分別是(1)由納米記憶材料層組成的超晶格,(2)將超晶格層填充到其中的納米級孔隙單元,(3)隔熱柔性基板。
       
        在運用上述三招之后,其共同顯著地提升了能源效率。
       
        展望未來,這項技術(shù)有望在移動 / 柔性設(shè)備上實現(xiàn)更快速、節(jié)能的存儲,并推動智能家居、生物醫(yī)學監(jiān)視器等實時傳感器的發(fā)展。
       
        Alwin Daus 表示:“傳感器對電池續(xù)航有極大的限制,收集原始數(shù)據(jù)并發(fā)送到云端的效率非常低。若能在本地完成存儲數(shù)據(jù)的處理,新技術(shù)將對物聯(lián)網(wǎng)提供極大的幫助”。
       
        Asir Intisar Khan 補充道:
       
        現(xiàn)代計算機有獨立的計算和存儲芯片,它們在一個地方計算數(shù)據(jù)并轉(zhuǎn)儲到另一個地方,但這種來回挪騰是非常低能效的。
       
        若能借助相變存儲技術(shù)實現(xiàn)‘存儲內(nèi)計算’(in-memory computing ),便可彌合這部分性能差距。
       
        只是它需要一個具有多電阻狀態(tài)的相變裝置,且每一個都可用于存儲。
       
        最后,盡管典型相變存儲器僅保有高或低兩種電阻狀態(tài),但該研究團隊已經(jīng)實現(xiàn)了四電阻狀態(tài)的編程,這也是邁向靈活內(nèi)存計算的重要一步。
       
        此外若將相變存儲器應用于大型數(shù)據(jù)中心,當前數(shù)據(jù)存儲所占的 15% 電力消耗也可得到極大的緩解。
       
        (原標題:斯坦福宣布相變存儲器研究新突破:為超快、節(jié)能計算鋪平了道路)
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