英特爾公布未來制程技術路線圖，有望獲得業(yè)內第一臺High-NA EUV光刻機

2021-07-27 15:16:26來源：TechWeb 關鍵詞：制程技術光刻機閱讀量：22081

導讀：加快高端智能芯片研制，已經成為大勢所趨。

　　7月27日，在Inel Accelerated大會上，英特爾首席執(zhí)行官基辛格(Pat Gelsinger)表示，摩爾定律仍在持續(xù)生效。

　　在當天大會上，英特爾公布了未來制程技術路線圖，同時介紹了下一代極紫外光刻(EUV)技術的使用計劃。根據(jù)進展，英特爾有望得獲得業(yè)內第一臺High-NA EUV光刻機。而在客戶上，基辛格透露已與AWS簽約，該公司將成為第一個使用英特爾代工服務(IFS)封裝解決方案的客戶。同時，高通也將采用Intel 20A制程工藝技術，這一技術預計將在2024年推出。

　　在發(fā)布會上，英特爾公布了未來5年的技術路線圖，對芯片的制程工藝進行了新的命名，10納米Enhanced SuperFin更名為“Intel 7”、Intel 7納米更名為“Intel 4”、其后是“Intel 3”、下一代將是“Intel 20A”、“Intel 18A”。

　　此外，基辛格表示，預計在今年年底前宣布在歐洲以及美國的進一步工廠布局。“這將是一筆足以支持大型晶圓廠的巨額投資，雖然我們自己已在推進其中的一些投資項目，但同時歡迎美國和歐盟的政策制定者能夠以緊迫感采取行動，加快我們和集成電路產業(yè)其他公司的項目進展。”

　　(原標題：英特爾公布未來制程技術路線圖，有望獲得業(yè)內第一臺High-NA EUV光刻機)

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