新一代EUV掩膜即將大批量供應有望大幅提升芯片產量與尺寸

2021-04-02 09:29:23來源：cnBeta 關鍵詞：芯片芯片產業(yè)閱讀量：23746

導讀：近年來，阿斯麥(ASML)的TwinscanNXEEUV光刻機已經取得了長足進步，改善了光源性能、可用時間、以及生產力。

　　早在2019年，代工廠就已經開始了有限度地將極紫外(EUV)光刻光刻技術應用于大批量的芯片制造(HVM)。然而影響EUV工藝普及的主要因素之一，就是光掩模(Pellicles)材料的缺乏，結果限制了EUV工藝的產能擴張。好消息是，近日有消息稱，這種情況終于得到了改善，且有望在未來幾年迎來進一步的發(fā)展。

　　近年來，阿斯麥(ASML)的TwinscanNXEEUV光刻機已經取得了長足進步，改善了光源性能、可用時間、以及生產力。

　　遺憾的是，EUV掩膜部分仍面臨量產前的巨大挑戰(zhàn)。且除了臺積電，三星半導體也被迫尋找在供應缺乏下的EUV替代制造工藝。

　　芯片制造中使用的掩膜材料(通常為6×6英寸)，能夠將可能落于基材表面上的顆粒隔離開，從而對芯片生產線上的晶圓提供額外的保護。

　　由于每套EUV標線片就需動用30萬美元的成本，因此降低與收益率相關的風險也尤為重要。

　　早在2019年，ASML就已經突出了首款EVU掩膜，并將技術授權給了三井化學。后者計劃于2021年2季度開始量產銷售，且ASML方面也未停止持續(xù)改進。

　　不過SemiconductorEngineering指出，迄今為止，只有ASML推出了在商業(yè)上切實可行的EUV掩膜(基于50nm厚度的多晶硅)。

　　早在2016年，該公司就展示了在模擬的175W光源上實現的78%透射率，且當前已在出售效率高達88%的新一代掩膜。相信不久后，三井化學就會大量供應此類掩膜。

　　最后，AnandTech提到ASML已經展示了透射率高達90.6%的原型。其不均勻性控制在了0.2%以內，且能夠在400W光源下將反射率控制在0.005%以下。

　　(原標題：新一代EUV掩膜即將大批量供應有望大幅提升芯片產量與尺寸)

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