絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）是繼雙極晶體管（GTR）和MOSFET后的新一代功率半導體分立器件，其綜合GTR和MOSFET的優(yōu)點，具有易于驅動、峰值電流容量大、自關斷、開關頻率高的特點，廣泛應用于小體積、率的變頻電源、電機調速、UPS以及逆變焊機當中，是目前發(fā)展zui為迅速的新一代功率器件。

　　國內IGBT產業(yè)需求明確，市場增長空間廣闊

　　由于下游各細分應用市場需求的快速增長，我國已成為zui大的功率半導體器件消費國。根據賽迪顧問統(tǒng)計，2009年我國功率半導體器件市場規(guī)模已達到1215.3億元，2005年到2009年市場復合增長率達到22.42%。IGBT市場規(guī)模占功率器件總市場規(guī)模比例為7.05%，目前市場還處于起步階段，應用還不是很多，但由于IGBT代表了未來功率器件的技術趨勢，發(fā)展速度很快。未來受益于變頻器產業(yè)、變頻家電產業(yè)以及軌道交通產業(yè)的大力推動，我們認為國內IGBT市場增長空間非常大，預計2011年市場規(guī)模將達到60.2億元，增速達到30%。

　　國內IGBT產業(yè)剛剛起步，與國外企業(yè)存在較大技術差距

　　目前國內IGBT市場仍主要由外資企業(yè)所把控，前的廠商主要是歐美、日本以及中國臺灣的廠商，包括Fairchild、ST、IR、ON Semiconductor、NS、NXP、Infineon、Toshiba以及Renesas。我國企業(yè)在技術、設備以及人才等各方面與國外企業(yè)的差距都非常大，在芯片設計、芯片制造、模塊封裝以及單管封裝等IGBT產品生產環(huán)節(jié)都有非常大的提升空間。

　　IGBT產業(yè)投資分析

　　我們認為國內IGBT產業(yè)正處于起步階段，企業(yè)在IGBT芯片設計、制造以及封裝各環(huán)節(jié)的技術積累都比較少；而相對于國內產業(yè)技術的弱勢，國內IGBT市場需求卻正快速增長，目前已成為zui大的IGBT消費市場。這意味著國內企業(yè)未來的發(fā)展方向是提升進口替代實力，以技術實力、價格優(yōu)勢和客戶優(yōu)勢搶占*，而這里面技術實力是zui為關鍵的因素，能夠提供滿足客戶技術需求的企業(yè)將脫穎而出，享受行業(yè)增長的盛宴；另一方面，功率器件的供貨認證過程需時較長，通常客戶一旦認可上游供應商，便不會輕易變動，合作關系比較穩(wěn)定。所以我們認為IGBT產業(yè)的投資價值zui直接體現在能夠首先突破技術瓶頸實現量產的能力，這也是我們評估企業(yè)投資價值的標準。IGBT是目前發(fā)展zui為迅速的新一代功率器件

　　絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）是繼雙極晶體管（GTR）和MOSFET后的新一代功率半導體分立器件，其綜合GTR和MOSFET的優(yōu)點，具有易于驅動、峰值電流容量大、自關斷、開關頻率高的特點，廣泛應用于小體積、率的變頻電源、電機調速、UPS以及逆變焊機當中，是目前發(fā)展zui為迅速的新一代功率器件。

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