DBC-112晶閘管靜態(tài)參數(shù)綜合測(cè)試臺(tái)

單片機(jī)控制，數(shù)字顯示
峰值電壓測(cè)量范圍：0—4000V
峰值漏電流測(cè)量范圍：0—100mA
觸發(fā)電壓測(cè)量范圍：0—5V
觸發(fā)電流、維持電流測(cè)量范圍：0—450mA
通態(tài)峰值電流測(cè)試范圍：0—6000A

DBC-112晶閘管靜態(tài)參數(shù)綜合測(cè)試臺(tái)

一、概述：
    該測(cè)試臺(tái)是將晶閘管及整流二極管的多個(gè)靜態(tài)直流參數(shù)的測(cè)試制作在一起的綜合性測(cè)試臺(tái)，能測(cè)試晶閘管的VDRM、VRRM、IDRM、IRRM、IH、VGT、IGT、ITM、VTM及整流二極管的VRRM、IRRM、IFM、VFM多項(xiàng)參數(shù)，測(cè)試方法符合GB4023-83、GB4024-83的規(guī)定。所有的參數(shù)均為數(shù)字顯示，讀數(shù)直觀準(zhǔn)確。設(shè)備內(nèi)還自帶示波器用于觀看伏安特性曲線。該設(shè)備具有操作簡(jiǎn)單，測(cè)試準(zhǔn)確，重復(fù)性好等特點(diǎn)，是電力半導(dǎo)體器件生產(chǎn)和使用單位理想的檢測(cè)設(shè)備。

二、主要技術(shù)指標(biāo)和參數(shù)：
 1．峰值電壓測(cè)量范圍：0—4000V
 2．峰值漏電流測(cè)量范圍：0—100mA
 3．峰值漏電流保護(hù)設(shè)定范圍：0—99mA 
 4．觸發(fā)電壓測(cè)量范圍：0—5V
 5．觸發(fā)電流測(cè)量范圍：0—450mA
 6．維持電流測(cè)量范圍：0—450mA
 7．通態(tài)峰值電流測(cè)試范圍：0—6000A
 8．通態(tài)峰值電壓測(cè)試范圍：0—5V
 9．整機(jī)電源功耗：AC220、≤1000VA