操作簡(jiǎn)單、靈敏度高
BLS-I and BCT-400測(cè)量系統(tǒng)對(duì)于單晶硅或多晶硅(硅錠或硅塊)不需要進(jìn)行表面鈍化就可以進(jìn)行壽命測(cè)量。因?yàn)閴勖鼫y(cè)量是描述生長(zhǎng)特征和污染缺陷靈敏度的技術(shù),這些工具允許你評(píng)估硅生長(zhǎng)后的質(zhì)量。
性能*
非接觸方式量測(cè)真正意義上的硅塊少子壽命,符合SEMI的PV13標(biāo)準(zhǔn);相比業(yè)界其他少子壽命測(cè)試儀BLS-I/BCT系列是性能更*的少子壽命測(cè)試儀。
多型號(hào)選擇
如果想要設(shè)備能夠測(cè)量多種的表面類型(150mm直徑到平滑的)請(qǐng)選BLS-1.如果是僅需要測(cè)量平滑表面,請(qǐng)選擇BCT-400.

BCT400/BLS-1應(yīng)用
廠商品質(zhì)監(jiān)控常見(jiàn)的測(cè)量設(shè)備,擁有廣泛客戶群
?測(cè)量壽命在1-5ms(豪秒)范圍內(nèi)的高純度硅
?測(cè)量沒(méi)有進(jìn)行特殊表面處理的原生直拉硅
?測(cè)量多晶硅塊的壽命和俘獲濃度
?探測(cè)氧化硼缺陷,鐵污染,和表面損害
?測(cè)試直拉硅,區(qū)熔硅,多晶硅或高純冶金硅的初始原料質(zhì)量
項(xiàng)目 | 內(nèi)容 |
---|---|
測(cè)量參數(shù) | 少子壽命、電阻率、陷阱密度 |
可測(cè)量的少子壽命范圍 | 0.1us-10ms |
可測(cè)量的電阻率范圍 | 0.5-300ohm.cm |
分析模式 | 準(zhǔn)穩(wěn)態(tài)方法少子壽命分析 瞬態(tài)方法少子壽命分析 一般方法少子壽命分析 |
可施加的用于修正陷阱的偏執(zhí)光范圍 | 0-50suns |
可以測(cè)量的樣品的表面類型 | 表面為平的硅塊樣品(BCT-400) 表面不平整的硅塊樣品(BLS-I) 不平整弧度的直徑可達(dá)150mm |
光源光譜 | 白光和紅外光 |
感應(yīng)器的面積 | 45cm*45cm |
可測(cè)量深度 | 3mm |