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擴(kuò)散后制程控制
Suns-Voc階段對于在鋁燒，再次前網(wǎng)燃燒之后測量晶片是理想的。這使得這些步驟的優(yōu)化和監(jiān)測保持電壓，獲得良好的歐姆接觸，避免分流。
Suns-Voc 的強(qiáng)大應(yīng)用
通過直接探測p和n區(qū)，或者探測金屬化層（如果存在），就能測量光－VOC曲線。此曲線可以顯示為我們的太陽VOC圖或以標(biāo)準(zhǔn)的光伏曲線的形式，光伏曲線可以用來表示分流的特征。整個(gè)曲線在開路狀態(tài)下測量，不受串聯(lián)電阻的影響。
Suns-Voc系統(tǒng)特性
非常適用于漿料燒結(jié)優(yōu)化和過程控制。開路的方法指出了太陽能電池PN結(jié)形成后的上限值。
?硅片臺溫度控制在25℃
?細(xì)點(diǎn)電壓探頭
?磁探針兼容性、氙燈與中性密度過濾器
?可微調(diào)強(qiáng)度范圍的高度可調(diào)后柱
?顯示標(biāo)準(zhǔn)的I-V曲線格式和Suns-VOC曲線
?測量不受串聯(lián)電阻的影響的理想晶片特性
| 項(xiàng)目 | 內(nèi)容 |
|---|---|
| 每次測試報(bào)告的參數(shù) | 開路下的暗IV曲線：材料對效率的限制 擬合效率 擬合填充因子 雙二極管分析 漏電分析 |
| 典型的經(jīng)過校準(zhǔn)的光照范圍 | 0.006-6suns |
| 硅片尺寸，標(biāo)準(zhǔn)配置 | 上限230mm直徑/邊沿 |
