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ST300比色紅外測溫儀
ST300系列在線式比色紅外測溫儀采用比色測溫原理直接測量目標(biāo)的真實(shí)溫度而基本不受材料輻射率的影響，抗煙霧、水蒸氣和灰塵能力強(qiáng)。具有多種測溫方式，并且?guī)в袦囟蕊@示和信號(hào)輸出，既適合于測量，又適合于閉環(huán)控制。儀器測溫不受窗口玻璃影響（有色玻璃除外）。也不受距離系數(shù)限制。儀器具有密封性好,防水、防塵，結(jié)實(shí)耐用，靈活、抗干擾強(qiáng)、設(shè)備尺寸小、智能化、速度快等特性。適于環(huán)境條件惡劣的工業(yè)現(xiàn)場中使用。
技術(shù)參數(shù):
ST300比色紅外測溫儀具有如下優(yōu)點(diǎn)
● 雙色比值技術(shù)擺脫了對能量測量的依賴，可進(jìn)行更高精度、重復(fù)性的溫度測量。
● 雙色比值技術(shù)降低或消除了大部分環(huán)境對其的影響，比如臟透鏡、臟窗口等。
● 雙色比值技術(shù)其原理決定了所測溫度為目標(biāo)溫度大值,更接近目標(biāo)溫度實(shí)際值。
● 未知發(fā)射率情況下,雙色比值技術(shù)有測溫優(yōu)勢。
● 具有單雙色模式,也可作為單色測溫儀使用。
技術(shù)指標(biāo)
典型應(yīng)用
● 多晶硅生產(chǎn)
多晶硅生產(chǎn)開始時(shí)半導(dǎo)體硅芯在還原爐中被高電壓瞬間擊穿，通過硅芯的電流使硅芯達(dá)到工藝要求的1080℃，而且此工藝溫度在硅芯由φ7mm～φ180mm 生長的過程中須一直保持恒定。但隨著硅棒的直徑不斷增加，其相應(yīng)阻抗會(huì)不斷減小，電流對硅棒的加熱能力因而降低。要維持1080℃的恒定硅棒溫度，只能 相應(yīng)不斷增大工作電流（電流將由開始時(shí)的30A增大到結(jié)束時(shí)的2800A）。如此大動(dòng)態(tài)范圍電流的變化，對生產(chǎn)設(shè)備及操作人員都提出了相當(dāng)高的要求。另 外，硅棒在達(dá)到1420℃時(shí)將熔化，所以測量多晶硅的溫度至關(guān)重要。
測量難點(diǎn)：
（1）開始生產(chǎn)時(shí)的硅芯直徑只有φ7mm，目標(biāo)太小。
（2）紅外測溫儀測量硅棒的溫度時(shí)，須將設(shè)備安裝于還原爐外部，透過密封石英窗口瞄準(zhǔn)爐內(nèi)目標(biāo)。視窗污染對透過率產(chǎn)生的影響而導(dǎo)致實(shí)際測量誤差。
（3）雙層石英玻璃對紅外信號(hào)衰減較大。
ST300系列比色測溫儀優(yōu)勢:
（1）采用比色測溫原理直接測量目標(biāo)的真實(shí)溫度而基本不受材料輻射率的影響，無需進(jìn)行發(fā)射率的補(bǔ)償。
（2）目視瞄準(zhǔn)，可直接看到目標(biāo)。
（2）對窗口輕微污染不敏感。
（3）擺脫了對紅外能量的依賴，對信號(hào)衰減不敏感。
● 雙色比值技術(shù)擺脫了對能量測量的依賴，可進(jìn)行更高精度、重復(fù)性的溫度測量。
● 雙色比值技術(shù)降低或消除了大部分環(huán)境對其的影響，比如臟透鏡、臟窗口等。
● 雙色比值技術(shù)其原理決定了所測溫度為目標(biāo)溫度大值,更接近目標(biāo)溫度實(shí)際值。
● 未知發(fā)射率情況下,雙色比值技術(shù)有測溫優(yōu)勢。
● 具有單雙色模式,也可作為單色測溫儀使用。
技術(shù)指標(biāo)
| ST300-A | ST300-B | ST300-C | |||
| 測溫范圍 | 600℃～1400℃ | 700℃～1800℃ | 1000℃～3000℃ | ||
| 光譜響應(yīng) | 0.7μm～1.3μm | ||||
| 光學(xué)分辨率 | 150:1 | 300:1 | |||
| 測量精度 | 讀數(shù)值的±1% | ||||
| 重復(fù)精度 | 讀數(shù)值的±0.5% | ||||
| 響應(yīng)時(shí)間 | ≤100 ms | ||||
| 瞄準(zhǔn)方式 | 望遠(yuǎn)鏡目視瞄準(zhǔn) | ||||
| 坡度 | 0.800～1.200（雙色模式） | ||||
| 發(fā)射率 | 0.10～1.00（單色模式） | ||||
| 信號(hào)處理 | 單雙色模式切換;峰值保持;平均值;繼電器報(bào)警 | ||||
| 電源 | 24VDC,±20%,250mA(允許存在100mV峰值波紋) | ||||
| 功率 | 大2W | ||||
| 模擬輸出 | 4-20mA | ||||
| 數(shù)字通信 | RS485 | ||||
| 輸出繼電器 | 一個(gè)常開觸點(diǎn),1A30VDC/0.5A125VAC 阻 抗： ≤50mΩ | ||||
| 防護(hù)等級(jí) | IP65 | ||||
| 環(huán)境溫度 | -20℃～60℃ | ||||
| 相對濕度 | 10%～95%不結(jié)露 | ||||
| 外形尺寸 | Φ50*185 mm | ||||
| 重量 | 600克 | ||||
| 價(jià)格 | 22930.00 | 22930.00 | 25430.00 | ||
● 多晶硅生產(chǎn)
多晶硅生產(chǎn)開始時(shí)半導(dǎo)體硅芯在還原爐中被高電壓瞬間擊穿，通過硅芯的電流使硅芯達(dá)到工藝要求的1080℃，而且此工藝溫度在硅芯由φ7mm～φ180mm 生長的過程中須一直保持恒定。但隨著硅棒的直徑不斷增加，其相應(yīng)阻抗會(huì)不斷減小，電流對硅棒的加熱能力因而降低。要維持1080℃的恒定硅棒溫度，只能 相應(yīng)不斷增大工作電流（電流將由開始時(shí)的30A增大到結(jié)束時(shí)的2800A）。如此大動(dòng)態(tài)范圍電流的變化，對生產(chǎn)設(shè)備及操作人員都提出了相當(dāng)高的要求。另 外，硅棒在達(dá)到1420℃時(shí)將熔化，所以測量多晶硅的溫度至關(guān)重要。
測量難點(diǎn)：
（1）開始生產(chǎn)時(shí)的硅芯直徑只有φ7mm，目標(biāo)太小。
（2）紅外測溫儀測量硅棒的溫度時(shí)，須將設(shè)備安裝于還原爐外部，透過密封石英窗口瞄準(zhǔn)爐內(nèi)目標(biāo)。視窗污染對透過率產(chǎn)生的影響而導(dǎo)致實(shí)際測量誤差。
（3）雙層石英玻璃對紅外信號(hào)衰減較大。
ST300系列比色測溫儀優(yōu)勢:
（1）采用比色測溫原理直接測量目標(biāo)的真實(shí)溫度而基本不受材料輻射率的影響，無需進(jìn)行發(fā)射率的補(bǔ)償。
（2）目視瞄準(zhǔn)，可直接看到目標(biāo)。
（2）對窗口輕微污染不敏感。
（3）擺脫了對紅外能量的依賴，對信號(hào)衰減不敏感。
