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絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅(qū)動式功率半導體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優(yōu)點。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動電流較大;MOSFET驅(qū)動功率很小,開關速度快,但導通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點,驅(qū)動功率小而飽和壓降低。
1.特點:
● 低電感高可靠封裝
● 高絕緣耐壓
● 干法焊接工藝
● 防內(nèi)凹的結(jié)構(gòu)
2.典型應用領域
直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機、變頻器、開關電源、照明電路、牽引傳動等領域。
3.主要額定值及特性參數(shù)
A、模塊的額定值及特性參數(shù)
型號 | VCES | IC | Tc | IFRM 10MS | I2T | VCE sat | VGE(th) | RthJC | RthJk | 外形結(jié)構(gòu)代號 |
V | A | ℃ | A | A2S | V | V | kW | kW | W34G | |
MGC60 | 1000 | 60 | 75 | 440 | 968 | 1.8/2 | 5.5 | 0.4 | 0.05 |