一般的晶振振蕩電路都是在一個(gè)反相放大器(注意是放大器不是反相器)的兩端接入晶振，再有兩個(gè)電容分別接到晶振的兩端，每個(gè)電容的另一端再接到地,這兩個(gè)電容串聯(lián)的容量值就應(yīng)該等于負(fù)載電容，請注意一般IC的引腳都有等效輸入電容,這個(gè)不能忽略。

　　如何防止晶振出現(xiàn)不良現(xiàn)象，現(xiàn)在介紹嚴(yán)格按照技術(shù)要求的規(guī)定，對晶振組件進(jìn)行檢漏試驗(yàn)以檢查其密封性，具體如下：

　　1、壓封工序是將調(diào)好的諧振件在保護(hù)中與外殼封裝起來，以穩(wěn)定石英晶體諧振器的電氣性能。在此工序應(yīng)保持送料倉、壓封倉和出料倉干凈，壓封倉要連續(xù)沖，并在壓封過程中注意焊頭磨損情況及模具位置，電壓、氣壓和流量是否正常，否則及時(shí)處理。其質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)為：無傷痕、毛刺、頂坑、彎腿，壓印對稱不可歪斜。

　　2、由于石英晶體是被動(dòng)組件，它是由IC提供適當(dāng)?shù)募?lì)功率而正常工作的，因此，當(dāng)激勵(lì)功率過低時(shí)，石英晶振不易起振，過高時(shí)，便形成過激勵(lì)，使石英芯片破損，引起停振。所以，應(yīng)提供適當(dāng)?shù)募?lì)功率。另外，有功負(fù)載會消耗一定的功率，從而降低晶體Q值，從而使晶體的穩(wěn)定性下降，容易受周邊有源組件影響，處于不穩(wěn)定狀態(tài)，出現(xiàn)時(shí)振時(shí)不振現(xiàn)象，所以，外加有功負(fù)載時(shí)，應(yīng)匹配一個(gè)比較合適有功負(fù)載。

　　3、控制好剪腳和焊錫工序，并保證基座絕緣性能和引腳質(zhì)量，引腳鍍層光亮均勻無麻面，無變形、裂痕、變色、劃傷、污跡及鍍層剝落。為了更好地防止單漏，可以在晶體下加一個(gè)絕緣墊片。

　　4、當(dāng)晶體產(chǎn)生頻率漂移而且超出頻差范圍時(shí)，應(yīng)檢查是否匹配了合適的負(fù)載電容，可以通過調(diào)節(jié)晶體的負(fù)載電容來解決。

　　晶體振蕩器實(shí)際應(yīng)用的環(huán)境需要慎重考慮。例如，高強(qiáng)度的振動(dòng)或沖擊會給振蕩器帶來問題。除了可能產(chǎn)生物理損壞，振動(dòng)或沖擊可在某些頻率下引起錯(cuò)誤的動(dòng)作。這些外部感應(yīng)的擾動(dòng)會產(chǎn)生頻率跳動(dòng)、增加噪聲份量以及間歇性振蕩器失效。對于要求特殊EMI兼容的應(yīng)用，EMI是另一個(gè)要優(yōu)先考慮的問題。除了采用合適的PC母板布局技術(shù)，重要的是選擇可提供輻射量小的時(shí)鐘振蕩器。一般來說，具有較慢上升/下降時(shí)間的振蕩器呈現(xiàn)較好的EMI特性。

　　恒溫晶體振蕩器簡稱恒溫晶振，英文簡稱為OCXO(Oven Controlled Crystal Oscillator)。詳解恒溫晶振的調(diào)試：

　　1)每一個(gè)單獨(dú)指標(biāo)必須單獨(dú)測試，不能同時(shí)測試幾種指標(biāo)，也不能同時(shí)測試幾只晶振。

　　2)測試時(shí)要嚴(yán)格按照標(biāo)準(zhǔn)的測試電路和測試環(huán)境進(jìn)行測試。

　　3)在沒有相當(dāng)?shù)臏y試設(shè)備和測試人員的情況下，不建議客戶自行測試晶振，更不能隨意調(diào)試晶振，測試設(shè)備的等級應(yīng)至少比晶振指標(biāo)高一個(gè)數(shù)量級。

　　4)對不同廠家的產(chǎn)品，尤其是來自不同國家的產(chǎn)品，有一些指標(biāo)的測試方法不盡相同，應(yīng)提前了解各廠家的異同點(diǎn)，統(tǒng)一意見，以減少不必要的麻煩。

　　5)對一些短期指標(biāo)如頻率精度，開機(jī)特性等，應(yīng)多做幾次重復(fù)的測試，以減少測試結(jié)果的偶然性。